Τι (ποιος) είναι Ганна диод - ορισμός
![Диод Ганна на [[C-диапазон]]. Видна заводская упаковка с антистатическими свинцовыми капсулами.](https://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/DG MY 1.jpg?width=200 "Диод Ганна на [[C-диапазон]]. Видна заводская упаковка с антистатическими свинцовыми капсулами.")
![Конструкция [[гетеродин]]а на диоде Ганна C-диапазона. Применён в МШУ «Обиход».](https://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Geterodyn Ganna.jpg?width=200 "Конструкция [[гетеродин]]а на диоде Ганна C-диапазона. Применён в МШУ «Обиход».")
Βικιπαίδεια
Дио́д Га́нна — тип полупроводниковых диодов, не имеющих в структуре p-n-переходов, используется для генерации и преобразования колебаний в диапазоне СВЧ на частотах от 0,1 до 100 ГГц. Основан на эффекте Ганна — явлении осцилляций тока в многодолинном проводнике при приложении к нему сильного электрического поля, открытом Джоном Ганном в 1963 году.
В отличие от других типов диодов принцип действия диода Ганна основан не на процессах в p-n-переходе, то есть все его свойства определяются не эффектами, которые возникают в местах соединения двух различных полупроводников, а собственными нелинейными свойствами применяемого полупроводникового материала.
В советской литературе диоды Ганна называли приборами с объёмной неустойчивостью или с междолинным переносом электронов, так как активные свойства диодов обусловлены переходом электронов из «центральной» энергетической долины (минимума энергии) в «боковую» долину, где они уже имеют малую подвижность и большую эффективную массу. В иностранной литературе диод Ганна называют TED (Transferred Electron Device — прибор с переносом электронов).
На основе эффекта Ганна созданы генераторные и усилительные диоды, применяемые в качестве генераторов накачки в параметрических усилителях, гетеродинов в супергетеродинных приемниках, генераторов в маломощных передатчиках и в измерительной технике.
